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STP17NK40ZFP
1个N沟道 耐压:400V 电流:15A
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- 描述
- SuperMESH系列通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了在最苛刻应用中具有良好的dv/dt能力。该系列完善了高压MOSFET的全系列产品，包括创新的MDmesh产品。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP17NK40ZFP
- 商品编号
- C2688574
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.66克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。凭借其条形布局和改进的垂直结构，该器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极高的 dv/dt 能力
- 100% 雪崩测试
- 栅极电荷极小化
- 极低的本征电容
- 优异的制造重复性
应用领域
- 大电流、高速开关
- 适用于离线式电源、适配器和功率因数校正(PFC)
- 照明