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STP17N80K5
N通道MOSFET,电流:14A,耐压:800V
- 描述
- N沟道800 V、0.29 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP17N80K5
- 商品编号
- C2688575
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 866pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420fF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 64pF |
商品概述
该器件是一款采用STripFET F6技术开发的P沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现极低的 RDS(on)。
商品特性
- 极低的导通电阻-极低的栅极电荷-高雪崩耐量-低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用