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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 340mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 106nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.26nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款基于创新专有垂直工艺技术的N沟道MDmesh V功率MOSFET，结合了意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESHTM横向布局结构。由此产生的产品具有极低的导通电阻，这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的，使其特别适用于需要卓越功率密度和出色效率的应用。
商品特性
- 该值根据Rthj - case进行额定，并受封装限制。
- 全球最佳的RDS(on) * 面积
- 更高的VDSS额定值和高dv/dt能力
- 出色的开关性能
应用领域
- 开关应用