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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMeshTM结合了低导通电阻、快速开关的所有优点,还具备本征快速恢复体二极管。因此,强烈推荐用于桥拓扑结构,特别是零电压开关(ZVS)移相转换器。
商品特性
- 高dv/dt和雪崩能力
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高生产良率
应用领域
- 开关应用