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场效应管(MOSFET)
STP23NM50N
引脚图
此图展示了型号为 STP23NM50N 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 STP23NM50N 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
STP23NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:17A
品牌名称
ST(意法半导体)
商品型号
STP23NM50N
商品编号
C2688568
商品封装
TO-220
包装方式
管装
商品毛重
2.74克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
190mΩ@10V
耗散功率(Pd)
-
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
栅极电荷量(Qg)
45nC@10V
输入电容(Ciss)
1.33nF@50V
反向传输电容(Crss)
4.8pF@50V
工作温度
-
类型
N沟道
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