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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用