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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF@50V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 340 个)个
起订量：340 个50个/管
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