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STN8882D
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- STN8882D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。STN8882D专门为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN8882D
- 商品编号
- C2682818
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.826nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 374.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 683.3pF |
商品概述
ST9435A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电池组、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路。
商品特性
- 30V/-5.6A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 55 mΩ（典型值）
- 30V/-5.0A，VGS = -6.0V时，RDS(ON) = 72 mΩ
- 30V/-4.4A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计
- P沟道
应用领域
- 电池组-笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路