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STC6301D
N/P通道增强模式MOSFET,电流:23.0A/-18.0A,耐压:60V/-60V
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- 描述
- STC6301D 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于电源管理等低压应用，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STC6301D
- 商品编号
- C2682885
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.401克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V；60mΩ@10V；28mΩ@4.5V；65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V；9.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
STC6301D是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于如电源管理等低压应用,这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- N沟道
- 60V/8.0A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 37mΩ
- 60V/5.0A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 28mΩ
- P沟道
- 60V/-5.0A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 46mΩ
- 60V/-3.0A,VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 65mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路