温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ST2301A
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- ST2301A 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2301A
- 商品编号
- C2682886
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |