ST2304SRG
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 描述
- ST2304SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路,以及需要低在线功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2304SRG
- 商品编号
- C2682903
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)个
起订量:20 个3000个/圆盘
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