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ST2304SRG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ST2304SRG

1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A

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描述
ST2304SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路,以及需要低在线功率损耗的场合
品牌名称
STANSON(司坦森)
商品型号
ST2304SRG
商品编号
C2682903
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.028克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))67mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.5nC
输入电容(Ciss)240pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

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