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ST3426
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- ST3426 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST3426
- 商品编号
- C2682909
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE1503S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 = 150V，漏极电流 = 3A
- 栅源电压为10V时，漏源导通电阻 < 300 mΩ（典型值：280mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路