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ST1004SRG实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ST1004SRG

1个N沟道 耐压:100V 电流:3A

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描述
ST1004SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。该工艺特别用于提高DC/DC传统开关PWM控制器的整体效率。它针对低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和快速开关速度进行了优化
品牌名称
STANSON(司坦森)
商品型号
ST1004SRG
商品编号
C2682911
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)508pF
反向传输电容(Crss)16.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)29pF

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