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ST3400SRG
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- ST3400SRG 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST3400SRG
- 商品编号
- C2682906
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 30 V / 5.8 A,VGS = 10 V时,RDS(ON) = 25 mΩ(典型值)
- 30 V / 4.8 A,VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 30 mΩ
- 30 V / 4.0 A,VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 40 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 负载开关及脉宽调制（PWM）应用
- 电源管理