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ST2318SRG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ST2318SRG

N沟道,电流:3.9A,耐压:40V

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描述
ST2318SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路,并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景
品牌名称
STANSON(司坦森)
商品型号
ST2318SRG
商品编号
C2682904
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)3.9A
导通电阻(RDS(on))42mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个3000个/圆盘

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