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ST2318SRG
N沟道,电流:3.9A,耐压:40V
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- 描述
- ST2318SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2318SRG
- 商品编号
- C2682904
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 40V/3.9A,VGS = 10V时,RDS(ON) = 42 mΩ(典型值)
- 40V/3.5A,VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 53 mΩ
- 40V/2.0A,VGS = 2.5V时,RDS(ON) = 75 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
-手机和笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路