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ST2300SRG
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- ST2300SRG 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2300SRG
- 商品编号
- C2682900
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
60V、3.5mΩ、5mm × 6mm功率MOSFET旨在最大限度地减小电源转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm塑料封装
应用领域
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流
- 电池电机控制