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ST2305A
P通道,电流:-3.5A,耐压:-20V
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- 描述
- ST2305A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2305A
- 商品编号
- C2682888
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
STN4186D是一款采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。STN454D专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 40V/20.0A，RDS(ON) = 13 mΩ（典型值）
- @VGS = 10V
- 40V/15.0A，RDS(ON) = 15 mΩ @VGS = 4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO - 252封装设计