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ST2300实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ST2300

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
ST2300 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,如手机、笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路,并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗
品牌名称
STANSON(司坦森)
商品型号
ST2300
商品编号
C2682899
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.029克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)120pF

数据手册PDF

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