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ST2305
P通道,电流:-3.5A,耐压:-20V
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- 描述
- P沟道 20V 3.5A
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2305
- 商品编号
- C2682889
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@4.5V；100mΩ@1.8V；80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
STP601/STP601D是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。STP601D专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 60V/-20.0A，VGS~~- 10V时，RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- 60V/-20.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 27 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252、TO-251封装设计