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ST2341SRG
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- ST2341SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2341SRG
- 商品编号
- C2682895
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST2301A是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 20V / -3.2A,VGS = - 4.5V时,RDS(ON) = 45 mΩ(典型值)
- 20V / -2.0A,VGS = - 2.5V时,RDS(ON) = 53 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路