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STN2610D
N通道增强模式MOSFET,电流:50.0A,耐压:60V
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- 描述
- STN2610D采用沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷。这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN2610D
- 商品编号
- C2682827
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
ST13P10是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。ST13P10专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- @ VGS = - 10V
- 100V/-13.0A，RDS(ON) = 130 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252、TO-251封装设计