温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP413D
1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- STP413D 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。STP413D 专门为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STP413D
- 商品编号
- C2682829
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V；52mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
STN4102是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。STN410D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 30V/15.0A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 32 mΩ
- 30V/8.0A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 40 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252封装设计