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STP605D
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A
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- 描述
- STP605D是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。STP607D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STP605D
- 商品编号
- C2682883
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.451克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
ST2305A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- -60V/-10.0A,VGS = -10 V时,RDS(ON) = 70 mΩ(典型值)
- -60V/-5.0A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252封装设计