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STP601D
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- STP601/STP601D是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。STP601D专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STP601D
- 商品编号
- C2682830
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V；27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 153pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品概述
STP413D是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。该器件专门为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- -40V/-12.0A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 36mΩ（典型值）
- 40V/-8.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 52mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO-252、TO-251封装设计