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ST16N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
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- 描述
- ST16N10是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。ST16N10专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST16N10
- 商品编号
- C2682821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.123克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
STN36N10D采用沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)和栅极电荷。这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 100V/20.0A，RDS(ON) = 40 mΩ（典型值）
- @VGS = 10V
- 100V/20.0A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 42 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO - 252、TO - 251封装设计