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STN484D
N沟道增强型MOSFET,电流:30.0A,耐压:30V
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- 描述
- STN484D 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。STN484D 专门为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低 RDS(ON) 和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN484D
- 商品编号
- C2682825
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.969克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF |
商品概述
STN4130采用沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(on)和栅极电荷。这些器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 30V/20.0A,RDS(ON) = 8 mΩ(典型值)@VGS = 10V
- 30V/15.0A,RDS(ON) = 12 mΩ @VGS = 4.5V
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- TO - 252、TO - 251封装设计
应用领域
- 消费领域-电信-工业电源-LED背光