温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ST18N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- ST18N10D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。ST18N10D专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST18N10D
- 商品编号
- C2682823
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 640pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
STC6614是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- N沟道：
- 60V/7.0A，VGS = 10V时，RDS(ON) = 35 mΩ（典型值）
- 60V/4.0A，VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 40 mΩ
- P沟道：
- 60V/-5.0A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 60 mΩ（典型值）
- 60V/-3.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 80 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路