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ST36N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
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- 描述
- STN36N10D采用沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷。这些器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST36N10D
- 商品编号
- C2682822
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
STP6621是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电源管理以及需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 60V / -10.0A，RDS(ON) = 23 mΩ（典型值）@VGS = -10 V
- 60V / -8.0A，RDS(ON) = 28 mΩ @VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计