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STN442D
N通道,电流:37.0A,耐压:60V
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- 描述
- 使用沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷。适合用作负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN442D
- 商品编号
- C2682820
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
STP4925 是双 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V / -7.2A，VGS = -10V 时，RDS(ON) = 20 mΩ（典型值）
- -30V / -5.6A，VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 25 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP - 8 封装设计
应用领域
- 低压应用-笔记本电脑电源管理-其他需要高端开关的电池供电电路