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STN454D
1个N沟道 耐压:40V 电流:12A
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- 描述
- STN454D是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。STN454D专门设计用于提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- STN454D
- 商品编号
- C2682819
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.928克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品概述
STP9527是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理及其电池供电电路中的高端开关。
商品特性
- 40V / -10.0A，VGS = -10 V时，RDS(ON) = 32 mΩ（典型值）
- 40V / -8.0A，VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 38mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计