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HCESD882NC3V3B

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9A@8/20us

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描述: 这款ESD保护二极管为双向设计，专为单一信号线打造。它能在3.3V下稳定工作，面对突发静电冲击，能承受9A的峰值电流保护，且内嵌15pF低电容值，确保高效防护同时，减少对信号传输的影响，适配于各类敏感电子设备中的静电防护需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCESD882NC3V3B
商品编号: C22440055
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005556克(g)

商品参数

商品概述

HCESD882NC3V3B可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

小外形尺寸
低本体高度
在8×20μs脉冲下，峰值功率高达105瓦
低泄漏电流
响应时间通常小于1 ns
人体模型3级ESD评级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF