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HPESD3V3V1BCSF-N
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
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- 描述
- 精心设计的双向ESD静电保护二极管，专为3.3V电路保护定制，单通道构造精简高效。凭借5A的瞬态电流承受力，以及12pF的电容值，既有效阻断静电放电造成的危害，又确保了信号传输的完整性，尤其适合于保护那些对静电敏感且对信号质量有一定要求的电子设备，为您的电路安全保驾护航。
- 商品型号
- HPESD3V3V1BCSF-N
- 商品编号
- C22440059
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 90W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 12pF |
商品概述
HPESD3V3V1BCSF-N 可保护敏感半导体组件免受静电放电及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露于 ESD 环境的设计提供一流的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的场合保护一条双向线路。封装为 DFN0603-2L。
商品特性
- 小巧的外形尺寸：0.61 mm × 0.31 mm
- 低矮的封装高度：0.28 mm
- 低漏电流
- 典型响应时间 < 1 ns
- 符合人体模型 Class 3 的 ESD 等级
- IEC61000-4-2 Level 4 ESD 保护
- 无铅器件
- 声明产品材料符合 RoHS 要求且无卤