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HDESDALC5LP-7B

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：20A

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描述: 这款ESD静电保护二极管具有双向导电功能，专为单一电路通道设计。5V的最大工作电压和20A的峰值电流处理能力，有效阻挡静电放电造成的损害。40皮法的低电容值，确保高速信号无损通过，是保护电子电路中精密组件的优选方案，提升系统在复杂电磁环境下的稳定性与安全性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HDESDALC5LP-7B
商品编号: C22440064
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0076克(g)

商品参数

商品概述

HDESDALC5LP - 7B可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路的灵活性。封装形式：DFN1006 - 2L

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±30kV（接触），±30kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：400W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	20A
	峰值脉冲功率(Ppp)	400W@8/20us
	击穿电压(VBR)	9V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	40pF