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HESDALD05UD4X

ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: 精心打造的单向ESD保护二极管，配备四路并行保护机制，工作电压上限为5V，峰值电流耐量达4A，确保电路安全无虞。超低0.5pF电容值设计，完美适配高速信号路径，有效隔绝静电干扰，为您的精密电路装备上隐形盾牌，守护数据传输的纯净与安全。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDALD05UD4X
商品编号: C22440067
商品封装: SOT-23-6L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0275克(g)

商品参数

商品概述

HESDALD05UD4X是一款5通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成，可将正或负的ESD电流引导至正或负电源轨。一个齐纳二极管集成在阵列的正负电源轨之间。在典型应用中，负电源轨引脚（指定为GND）连接到系统地。正ESD电流通过一个ESD二极管和齐纳二极管被引导至地，并且正ESD电压被钳位至齐纳电压。

商品特性

5通道ESD保护
提供符合IEC61000-4-2等级4标准的ESD保护
±27kV空气放电
±15kV接触放电
通道I/O对GND电容：0.4pF（最大值）
通道I/O对I/O电容：0.8pF（最大值）
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化的封装，便于高速数据线PCB布局
符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V；1.8V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	55W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	五路
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.8pF