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HESD7501MUT5G
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：4A
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- 描述
- 这款双向ESD防护二极管，专为单通道应用优化，5V工作电压下稳定，4A峰值电流处理能力强劲，有效抑制静电危害。0.55pF低电容值设计，确保高速信号无损通行，是精密电子和通信设备中防静电冲击、保持信号纯净的优选组件。
- 商品型号
- HESD7501MUT5G
- 商品编号
- C22440093
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 25V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 100W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.55pF |
商品概述
HESD7501MUT5G 可保护敏感半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露在静电放电环境下的设计提供一流的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为 DFN0603-2L。
商品特性
- 为高速数据线提供瞬态保护
- 符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 标准：±8kV（接触放电），±15kV（空气放电）
- 符合 IEC 61000-4-4 (EFT) 标准：40A（5/50 ns）
- 峰值功耗：100W（8/20μs）
- 工作电压：5V
- 超小型封装（0.6mm×0.3mm×0.3mm）
- 低电容：0.55pF（典型值）
- 低钳位电压
- 低漏电流