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HVBUS051BD-HD1-GS08

单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款单通道方向ESD保护二极管，能在5V电压下稳定运作，提供4A的瞬态电流防护，有效抑制静电释放效应。其紧凑的0.6pF电容值，确保了信号传输的高速与清晰，是保护精密电路和敏感电子组件免受静电干扰的高效解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HVBUS051BD-HD1-GS08
商品编号: C22440116
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0069克(g)

商品参数

商品概述

HVBUS051BD - HD1 - GS08可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条单向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线瞬态保护：符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，接触放电±20kV，空气放电±20kV；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准，40A（5/50 ns）
峰值功耗：60W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条数据、控制线
低电容：0.4pF（典型值）
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	15V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	60W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.6pF