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HPJSD12W-AU_R1_000A1

单向ESD 12V截止峰值浪涌电流：9.6A

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描述: 此款单向ESD静电保护二极管专注于单一路径防护，耐压12V，能承受9.6A瞬时电流冲击，为电子设备提供定制化的静电解决方案。55pF电容值设计，在满足大多数信号保护需求的同时，确保了基本的信号完整性，是提升电路抗静电能力的可靠选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPJSD12W-AU_R1_000A1
商品编号: C22440136
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028833克(g)

商品参数

该器件保护敏感的半导体组件免受静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。采用SOD-323封装。

为高速数据线路提供瞬态保护，符合IEC 61000-4-2 (ESD) 标准：接触放电 ±30kV，空气放电 ±30kV；符合IEC 61000-4-4 (EFT) 标准：40A (5/50 ns)
峰值功耗：240W (8/20us)
工作电压：12V
保护一条Vcc或数据线路
低钳位电压
低泄漏电流