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HCESD1006UC3V3B

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款双向ESD保护二极管，为3.3V电压平台定制，单一通道设计。4A峰值电流吸收效能，有效抵御静电冲击，保护电路安全。0.3pF的超低电容特性，最大限度减少信号干扰，是保障高速数据线路免受静电威胁的高性能解决方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HCESD1006UC3V3B
商品编号: C22440145
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0051克(g)

商品参数

商品概述

HCESD1006UC3V3B可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触放电），±15kV（空气放电）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：100W（8/20μs）
工作电压：3.3V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条数据、控制线
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	25V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us
	击穿电压(VBR)	4.2V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.3pF