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HPSD18C-LF-T7

双向ESD 18V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 精心设计的双向ESD防护二极管，专为单线路应用优化，耐压18V， IPP 9A的瞬时电流处理能力，实现双向静电瞬变保护。30皮法低电容值设计，确保高速信号无损传输，是保护各类精密电子设备，如移动通讯和数据接口等，免受静电侵害的高效解决方案，确保信号纯净与系统稳定。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPSD18C-LF-T7
商品编号: C22440152
商品封装: SOD-323
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0157克(g)

商品参数

HPSD18C-LF-T7器件可保护敏感的半导体组件免受静电放电和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其卓越的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了同类防护。它为设计者提供了在阵列不实用的应用中保护一条双向线路的灵活性。封装为SOD-323。

为高速数据线路提供瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（静电放电）标准：±30kV（接触放电），±30kV（空气放电）；符合IEC 61000-4-4（电快速瞬变脉冲群）标准：40A（5/50 ns）
峰值功耗：350W（8/20us）
工作电压：18V
保护一路Vcc或数据线
低钳位电压
低泄漏电流