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HPESDNC2FD3V3BA

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 该产品为单通道双向ESD静电保护二极管，工作电压VRWM为3.3V，可承受9A瞬时静电释放电流IPP，电容值CJ低至15pF，有助于减少信号干扰，适用于需要静电防护的精密电子电路中。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HPESDNC2FD3V3BA
商品编号: C22440174
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005333克(g)

商品参数

商品概述

HPESDNC2FD3V3BA可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或出现故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为易受ESD影响的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

小尺寸外形
低外形高度
8×20μs脉冲下峰值功率高达105瓦
低泄漏电流
典型响应时间小于1纳秒
人体模型3级ESD等级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	100W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF