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HESD5V0D9B-TP
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：8A@8/20us
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- 描述
- 该ESD静电保护二极管为双向设计，专为单一信号通路打造。5V的工作电压VRWM适配低电压电路保护需求，9A峰值脉冲电流IPP处理效能确保电路在静电冲击下的安全稳定。加之15pF的低电容值CJ，减少信号衰减，是高速数据传输及敏感电子设备的理想防静电解决方案，为设备安全运行提供坚实保障。
- 商品型号
- HESD5V0D9B-TP
- 商品编号
- C22439818
- 商品封装
- SOD-923
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 8.5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 8A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 80W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
HESD5V0D9B-TP器件可保护敏感半导体组件免受静电放电和其他电压感应瞬态事件的损害或干扰。其优异的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了的保护。它为设计者提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为SOD-923。
商品特性
- 超低电容15 pF
- 低钳位电压
- 小外形尺寸：0.031英寸×0.024英寸 (0.80mm×0.60mm)
- 低本体高度：0.015英寸 (0.37 mm)
- 击穿电压：5V
- 低泄漏
- 响应时间典型值<1.0 ns
- IEC61000-4-2 Level 4 ESD保护
- 无铅器件