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HD24V0L1B2LPSQ-7B

双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：3A

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描述: 这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，耐压24V，能承受3A瞬时电流冲击，为敏感电路提供精准静电防护。其8皮法的小电容值确保了信号传输的高速与纯净，是便携式电子设备和高频通讯应用的理想伴侣。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HD24V0L1B2LPSQ-7B
商品编号: C22439857
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.010711克(g)

商品参数

商品概述

HD24V0L1B2LPSQ - 7B可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触），±15kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：150W（8/20μs）
工作电压：24V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	24V
	钳位电压	50V
	峰值脉冲电流(Ipp)	3A
	峰值脉冲功率(Ppp)	150W@8/20us
	击穿电压(VBR)	32V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	8pF