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HESDALC5-1BT2Y

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：20A

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描述: 这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计，可在5V电压下稳定工作，具备承受20A峰值瞬态电流的能力，为电路提供全面的静电防护。其低至40pF的电容值，确保高速信号传输不受影响，是保护电子设备中敏感元件、提升系统稳定性和数据传输质量的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDALC5-1BT2Y
商品编号: C22439862
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0075克(g)

商品参数

商品概述

HESDALC5 - 1BT2Y可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活地保护一条双向线路。封装类型为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±30kV（接触），±30kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：400W（8/20μs）
工作电压：5V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	20A
	峰值脉冲功率(Ppp)	400W@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	9V
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	40pF