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HSZESD9B5.0ST5G

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5A

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描述: 这款双向ESD保护二极管专为单通道设计，5V电压保护水平（VRWM）确保低电压电路安全。9A峰值电流承受力（IPP），有效拦截双向静电冲击，加固电路防护网。15pF低电容值（CJ），减少信号损失，优化高速数据线路的传输质量，是保护精密电子设备、维持系统稳定运行的优选方案。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSZESD9B5.0ST5G
商品编号: C22439875
商品封装: SOD-923
包装方式: 编带
商品毛重: 0.00475克(g)

商品参数

该器件用于保护敏感的半导体组件免受静电放电和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电的设计提供了卓越的保护。它为设计师在无法使用阵列的应用中保护一条双向线路提供了灵活性。