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HESDM3033N2T5G

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：9A

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描述: 该ESD保护元件为双向单路配置，额定电压3.3V，能承受9A瞬态电流冲击，电容仅为15pF，适合于保护电子电路免受静电破坏，确保信号完整性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDM3033N2T5G
商品编号: C22439900
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.005444克(g)

商品参数

商品概述

HESDM3033N2T5G可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

小外形尺寸
低本体高度
8×20μs脉冲下峰值功率高达105瓦
低泄漏电流
典型响应时间 < 1 ns
人体模型3级ESD等级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	11V
	峰值脉冲电流(Ipp)	9A
	峰值脉冲功率(Ppp)	105W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	50nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	15pF