温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HESDL3V3LB-TP

双向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：7A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该ESD静电保护二极管采用双向设计，专为单一信号通路优化。3.3V最大连续工作电压（VRWM）及7A峰值瞬态电流处理能力（IPP），构成坚实防线，抵御静电侵扰。低至10pF的电容值（CJ）确保高速信号传输不受影响，是保障电子设备接口安全、提升系统稳定性的理想选择。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESDL3V3LB-TP
商品编号: C22440215
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0049克(g)

商品参数

商品概述

HESDL3V3LB - TP可保护敏感半导体组件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±8kV（接触放电），±15kV（空气放电）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：84W（8/20μs）
工作电压：3.3V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	7A
	峰值脉冲功率(Ppp)	84W@8/20us
	击穿电压(VBR)	3.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF