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HSTN101120B111

双向ESD 12V截止峰值浪涌电流：5A

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描述: 此款双向ESD静电保护二极管，专为单一信号通路设计，耐压12伏特，峰值电流承受能力达5安培，为电路板提供卓越的静电防护效果。尽管电容值为10皮法，它依然是众多电子设备中平衡信号传输与静电防护需求的理想选择，确保系统在高静电环境下运行无忧。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSTN101120B111
商品编号: C22439898
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.00585克(g)

商品参数

商品概述

HSTN101120B111可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）：±20kV（接触），±25kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）：40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：150W（8/20μs）
工作电压：12V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	12V
	钳位电压	26V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5A
	峰值脉冲功率(Ppp)	150W@8/20us
	击穿电压(VBR)	13.3V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	200nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF