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HSESDONCAN1LT3G

双向ESD 24V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述: 这款双向ESD保护二极管专为双线路设计，24V耐压（VRWM）及4A峰值电流处理能力（IPP），在保障电路安全的同时，搭载了仅10pF的低电容值，确保高速信号无损通过，为精密电子应用提供高效、紧凑的静电冲击防御，守护您的设备免受静电损害。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HSESDONCAN1LT3G
商品编号: C22439878
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.02克(g)

商品参数

HSESDONCAN1LT3G 可保护敏感的半导体组件免受静电放电及其他电压感应瞬态事件造成的损坏或干扰。该器件具备出色的钳位能力、低漏电流和低电容，适用于可能暴露于静电放电环境的设计。它为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。