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HSESDONCAN1LT3G

双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流：4A@8/20us

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描述
这款双向ESD保护二极管专为双线路设计，24V耐压（VRWM）及4A峰值电流处理能力（IPP），在保障电路安全的同时，搭载了仅10pF的低电容值，确保高速信号无损通过，为精密电子应用提供高效、紧凑的静电冲击防御，守护您的设备免受静电损害。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HSESDONCAN1LT3G
商品编号
C22439878
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)24V
钳位电压40V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)160W@8/20us
击穿电压33V
属性参数值
反向电流(Ir)500nA
通道数单路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容10pF

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