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HESDM3031MXT5G
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
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- 描述
- 此款双向ESD静电保护二极管专为3.3V电压应用优化，单通道结构紧凑高效。5A峰值电流处理和12pF电容设计，在确保强效抵御静电冲击的同时，保持信号传输无碍，是保护电子电路免受静电损害的可靠卫士，适用于各类静电敏感电子产品的安全强化。
- 商品型号
- HESDM3031MXT5G
- 商品编号
- C22439895
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.005375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 10V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 90W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压(VBR) | 6.5V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 12pF |
商品概述
HESDM3031MXT5G用于保护敏感的半导体组件，使其免受静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间，为暴露在静电放电环境下的设计提供了业界领先的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。
商品特性
- 小尺寸外形：0.61mm × 0.31mm
- 低本体高度：0.28 mm
- 低泄漏电流
- 典型响应时间 < 1 ns
- 符合人体模型3级静电放电等级
- IEC61000-4-2等级4静电放电保护
- 无铅器件
- 产品材料符合RoHS要求且无卤素。