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HSZESD9B3.3ST5G
双向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：11A@8/20us
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- 描述
- 这款双向ESD保护二极管专为单路信号线定制，工作电压VRWM为3.3V，适配低电压应用环境。凭借11A的峰值电流处理能力 IPP，能有效抑制双向静电放电，保护电路元件安全。小巧的15pF电容值CJ设计，减少对高频信号的干扰，确保数据传输快速准确，是现代高性能电子设备中抗静电干扰的理想选择。
- 商品型号
- HSZESD9B3.3ST5G
- 商品编号
- C22439891
- 商品封装
- SOD-923
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 7V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 110W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 15pF |
商品概述
HSZESD9B3.3ST5G 用于保护敏感的半导体组件，防止其因静电放电和其他电压引起的瞬态事件而损坏或工作异常。其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间为暴露于静电放电风险的设计提供了卓越的保护。该器件为设计人员提供了灵活性，可在不适用阵列的应用中保护一条双向线路。封装为 SOD-923。
商品特性
- 超低电容：20 pF
- 低钳位电压
- 小巧的封装外形尺寸：0.80 mm × 0.60 mm (0.031" × 0.024")
- 低封装高度：0.37 mm (0.015")
- 截止电压：3.3 V
- 低泄漏电流
- 典型响应时间 < 1.0 ns
- 符合 IEC61000-4-2 第 4 级静电放电保护标准
- 无铅器件