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HGG0402055R042P

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：2.5A@8/20us

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描述: 这颗双向ESD防护二极管专为单线路打造，耐压5V，可承受2.5A瞬时电流冲击，为电路板穿上隐形防静电盔甲。2.5pF的低电容值设计，确保高速数据畅通无阻，是保护高端电子设备免受静电侵害的精妙之作。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HGG0402055R042P
商品编号: C22439869
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.006833克(g)

商品参数

商品概述

HGG0402055R042P可保护敏感半导体元件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或出现故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了一流的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

超低电容2.5 pF
低钳位电压
小外形尺寸：0.039英寸×0.024英寸（1.00 mm×0.60 mm）
低本体高度：0.020英寸（0.5 mm）
耐受电压：5 V
低泄漏
响应时间通常< 1.0 ns
IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这是一款无铅器件

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	10V
	峰值脉冲电流(Ipp)	2.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	30W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	2.5pF