HCPDH3V3UB-HF
单向ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流:11.2A
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- 描述
- 该单向ESD保护二极管专为3.3V系统定制,单通道设计专注保护关键电路。11.2A峰值脉冲电流处理能力,强力抵御静电侵扰。尽管拥有60pF电容值,仍适配于要求不严格的信号线路,确保在防止静电损伤的同时,维持系统信号的顺畅传递,为电子设备的稳定运行保驾护航。
- 商品型号
- HCPDH3V3UB-HF
- 商品编号
- C22439867
- 商品封装
- SOD-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 8.4V;14.1V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 11.2A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 200W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 60pF |
商品概述
HCPDH3V3UB-HF 可保护敏感的半导体组件免受静电放电和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或干扰。其出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间为暴露于ESD的设计提供了同类防护。它为设计师提供了灵活性,可在不适用阵列的应用中保护一条单向线路。封装为 SOD-523。
商品特性
- 为高速数据线路提供瞬态保护,符合 IEC 61000-4-2 (ESD) ±8kV (接触放电) 和 ±15kV (空气放电) 标准,以及 IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50 ns) 标准
- 峰值功耗:200W (8/20us)
- 工作电压:3.3V
- 保护一条 Vcc 或数据线路
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- HDF2B6M5CT,L3F
- HGG0402055R042P
- HUCLAMP3331ZATFT
- HCPDV15V0-HF
- HSTS232050UL40
- HSD05T3G
- HSZESD9B5.0ST5G
- HSZESD5Z3.3T1G
- HSESDONCAN1LT3G
- HVBUS03N1-DD1HG3-08
- HVESD05C1-02VHG3-08
- HPJSD03TS-AU
- HAZ5A23-01F
- HPJEC5V0M1FN2
- HSZESD9101P2T5G
- HDESD3V3XA1BCSF-7
- HSTS521033B950
- HSZESD9B3.3ST5G
- HESD7361XV2T1G
- HSTS232120U901
- HESDM3031MXT5G
- HDF2B6M5CT,L3F
- HGG0402055R042P
- HUCLAMP3331ZATFT
- HCPDV15V0-HF
- HSTS232050UL40
- HSD05T3G
- HSZESD9B5.0ST5G
- HSZESD5Z3.3T1G
- HSESDONCAN1LT3G
- HVBUS03N1-DD1HG3-08
- HVESD05C1-02VHG3-08
- HPJSD03TS-AU
- HAZ5A23-01F
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- HSZESD9101P2T5G
- HDESD3V3XA1BCSF-7
- HSTS521033B950
- HSZESD9B3.3ST5G
- HESD7361XV2T1G
- HSTS232120U901
- HESDM3031MXT5G


